根据整理后的数据，南方每家企业都将按照总分100分进行打分。
具体而言，多地电网SKPM图像证明了由电离供体释放到受体晶体中的电子是可移动的，形成一定宽度、空间离域的电子分布。【小结】综上所述，龙舟作者在两种基准有机半导体单晶表面发现了特定位置的n型掺杂机制。
近日，水至美国明尼苏达大学CDanielFrisbie教授和何涛教授（共同通讯作者）描述了两种有机半导体单晶独特的，水至特定位置的n型表面掺杂机制，该机制显著改善了电子传输，并为掺杂诱导的空间电荷提供了前所未有的证据。做好（b）Cl2-NDI和PDIF-CN2的分子结构。图二、防范掺杂对n型单晶FET特性的影响（a）47μm厚Cl2-NDI晶体在暴露于N-硅烷蒸气（100μl，防范1h）前后FET ID-VG曲线的变化, 暴露之前（空心方块）和之后（实心圆圈）的
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RT时，做好纳米孪晶Ti的抗拉强度为500MPa，拉伸延性(应变至失效)为~70%，与粗晶Ti相比分别提高了~50MPa和~17%。这种性能的提升归因于孪晶界的相干性，防范它可以根据位错特性来选择性的阻断或传输入射位错，从而分别提供强度和延展性。
应对本工作总结了各类型孪晶的长度分数和总孪晶边界。南方而纯Ti的强度则比较一般。
